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reçoivent d'habitude par voie de l'hydrochloration : par la coopération du silicium technique avec chloreux ou avec le mélange des gaz contenant l'hydrogène chloreux, à 260—400 °.

Techniquement et économiquement compétitive en comparaison d'examiné est aussi la méthode de la réception du silicium polycristallin par voie de la décomposition SiH4 d'une haute propreté. Le procès de la réception de qui est réduit au suivant.

Les deux comme les défauts se forment aux frais des efforts mécaniques existant dans le cristal, et sont conditionnés par le gradient de la température ou une grande concentration des atomes. Les emplacements régionaux dans les cristaux utilisés pour la production, en général, manquent.

À la croissance des cristaux du silicium avec la densité très basse des emplacements apparaît le type des défauts, qui, probablement, sont caractéristiques uniquement pour les cristaux demi-conducteurs et à présent sont étudiés d'une manière intense. À cause de leur petit montant appellent comme les microdéfauts.

Une des manifestations des violations en trois dimensions dans la grille cristalline sont les microdéfauts et (la phase, dans qui se détachent les atomes, en cas de l'excès du niveau de la dissolubilité dans la substance à donné des températures.

À la température est entièrement plus haut 300 ° dans les produits des réactions manque presque. Pour l'augmentation de la sortie la température du procès réduisent qu'amène au ralentissement considérable les réactions (. Pour le surcroît de vitesse de la réaction les catalyseurs (le cuivre, le fer, l'aluminium etc.). Ainsi,, à l'introduction au silicium initial jusqu'à 5 % du cuivre le contenu dans le mélange des produits de la réaction à la température 265 ° arrive jusqu'à 95 %.

Le défaut selon Frenkelju représente la vacance et l'atome. La concentration de ces défauts est calculée aussi selon la formule, mais avec une grande signification de l'énergie de la formation de l'atome W = 4,5. La vacance et les atomes se déplacent à l'intérieur de la grille aux frais de l'énergie thermique.

La technologie moderne du silicium polycristallin est fondée sur le procès de la restitution hydrogénique, la restitution du silicium par le zinc et, la Grande partie du silicium (près de 80 %) reçoivent par voie de la restitution hydrogénique (). Les dignités de ce procès — la facilité et la qualité économiques de la réception, l'efficacité du nettoyage, l'extrait et une grande vitesse de la précipitation du silicium du silicium à l'utilisation du silicium 15 %, et à l'utilisation de — pas moins 30 %), un plus petit prix de revient de la production.

Comme les conditions optima du procès de la restitution trouvent la température 1100—1150 °, la relation 2 : SiHCl3 à 5-15, la densité de la présentation 0,004 mite / ( ·. À des pivots plus bas optimum augmente le degré à du silicium et diminue la sortie du silicium. L'augmentation de la température amène à l'augmentation essentielle des dépenses d'énergie. À optimum la relation 2 : SiHCl3 = 5-15 pivots ont dense la structure et la surface assez égale. En dehors de ces relations se forme la surface irrégulière, la structure des pivots devient avec les insertions des époques à gaz, qui à la fonte ultérieure du polysilicium en train de la cultivation des cristaux amènent vers et.